为了加速AI等创新应用的普及，并使其惠及更多用户，计算能力的指数级增长是必不可少的。为达到这一目标，半导体行业积极突破芯片制造的界限，寻求提升性能与降低能耗的新方法。
在此背景下，传统上用于装置保护和散热的封装技术如今已走到台前，成为行业新热点。先进封装技术相较于传统封装，在单一设备中集成不同厂商、制程、尺寸和功能的芯片，开创了构建性能更强大，且具有更高能效比的系统级芯片（SoC）的新可能。
英特尔长期以来致力于将处理器、加速器和存储器等多种芯片进行堆叠集成，以形成更大规模的封装，从而提升产品的整体性能。在2025年的IEEE电子器件技术大会（ECTC）上，英特尔展示了其在封装技术方面的最新进展。该大会由IEEE电子封装协会主办，是聚焦封装、器件与微电子系统科研、技术和教育的国际盛会。
具体而言，英特尔在封装领域的三大核心技术路径包含：提升封装良率、确保电力供应的稳定性和可靠性，以及通过有效的热管理技术实现高效散热。
EMIB-T：确保稳定供电
英特尔的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术现已投入生产，突破了光罩尺寸的限制，实现了多芯片间的高速互联。同时，借助硅通孔（TSV）技术，EMIB-T优化了供电效率，为整合高速HBM4和基于UCIe标准的芯粒提供了简单易行的解决方案。
热压键合工艺：提升良率与可靠性
随着封装尺寸不断增大，多芯片集成的复杂性也随之增加。为增强良率和可靠性，英特尔正探索高精度、大光罩热压键合（TCB）的先进工艺。
分解式散热器：实现高效散热
随封装的复杂性与尺寸增加，热设计功耗（TDP）也相应提升。为克服散热挑战，英特尔正在开发全新的分解式散热器技术和下一代热界面材料，以更高效地将热量从热源传递至散热器的各个部位，从而提高整体的散热效率。
